《C-t瞬態和產生壽命測量研究》是依託浙江大學，由張秀淼擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：C-t瞬態和產生壽命測量研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：張秀淼
- 項目類別：面上項目
- 批准號：69276036
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1993-01-01 至 1995-12-31
- 支持經費：2（萬元）
項目摘要
本項目研究了MOS電容器C—t瞬態過程的精確描述方法，建立了若干種利用MOS電容器的C—t瞬態測量產生壽命的新的方法，給出了相應的計算公式，採用這些方法的測量結果比以前更加準確，建立了微機輔助測量系統，使測量快捷、方便，本項目還深入研究了電場對產生過程的影響，提出了比以前理論更為全面的產生過程理論，比較深刻地揭示了這一過程的物理本質。研究成果顯著，已發表論文16篇，引起國際同行的關注，研究成果可用於研究半導體中的雜質和缺陷、評價半導體材料的質量，也可用於半導體器件和積體電路生產工藝的線上監控，研究工作基本完成了預期計畫，實現了預定目標。
