《BN-SiO2陶瓷的高溫介電性能研究及其數值模擬》是依託北京理工大學，由翟華嶂擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：BN-SiO2陶瓷的高溫介電性能研究及其數值模擬
- 依託單位：北京理工大學
- 項目負責人：翟華嶂
- 項目類別：青年科學基金項目
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 批准號：50602005
- 支持經費：24（萬元）
- 申請代碼：E0204
- 負責人職稱：副教授
項目摘要
通過實驗實測、理論演繹以及計算機數值模擬相互結合、相互驗證的綜合分析方法，研究BN-SiO2復相陶瓷材料在高溫條件下（大於一千攝氏度），材料的介電性能（包括介電常數和介電損耗等主要參數）隨溫度和電磁波頻率的變化，建立與實驗數據相吻合的理論模型和定量計算公式，對BN-SiO2陶瓷不同環境中的高溫介電性能進行預測。擴展BN-SiO2陶瓷及其複合材料體系在高溫領域的套用。BN-SiO2陶瓷高溫介電性能的研究可以為高溫使用的特種結構材料的介電性能的變化趨勢和研究方法提供有益的參照，同時充實我們在高溫材料庫的技術儲備，並為實際套用中高溫特種結構材料體系的優選、設計和製備提供理論依據和科學預測。
