ADR434 是XFET系列基準電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正專利技術和XFET（外加離子注入場效應管）技術，可以使ADR434 電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。
基本介紹
- 中文名：ADR434
- 負載調整率：15 ppm/mA
- 電壓調整率：20 ppm/V
- 低噪聲（0.1：3.5 µV峰峰值（2.5 V輸出）
產品簡介,技術特性,套用領域,
產品簡介
超低噪聲XFET®基準電壓源，具有吸電流和源電流能力
ADR434 是XFET系列基準電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正專利技術和XFET（外加離子注入場效應管）技術，可以使ADR434 電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。與嵌入式齊納基準電壓源相比，XFET基準電壓源能以更低的功耗(800 µA)和更小的電源裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR434 XFET基準電壓源是唯一適合5 V系統的低噪聲解決方案。ADR43x系列的源電流輸出最高達30 mA，最大吸電流能力為20 mA。它還具有調整引腳，可以在0.5%範圍內調整輸出電壓，而性能則不受影響。ADR43x提供8引腳MSOP和窄體SOIC兩種封裝。所有型號產品的額定溫度範圍均為−40°C至+125°C擴展工業溫度範圍。 ADR434-EP支持軍工和航空航天套用（AQEC標準）
技術特性
無需外部電容
低溫度係數 A 級: 10 ppm/°C （最大值） B 級: 3 ppm/°C （最大值）
欲了解更多特性，請參考數據手冊
下載ADR434-EP (Rev A)數據手冊(pdf)
軍用溫度範圍（−55°C至+125°C）
受控制造基線
唯一封裝/測試廠
唯一製造廠
增強型產品變更通知
認證數據可應要求提供
套用領域
精密數據採集系統
高解析度數據轉換器
醫療儀器
工業過程控制系統
光纖控制電路
精密儀器
