高頻寬顯存是一種新型低功耗存儲晶片，具有超寬通信數據通路和革命性的創新堆疊方案。採用垂直堆疊方式和高速信息傳輸，以創新的小尺寸為用戶帶來了真正讓人振奮的性能。
基本介紹
- 中文名：高頻寬顯存
- 外文名：HBM
- 套用學科：電子工程
- 定義：新型低功耗存儲晶片
產品信息,功耗效率,小巧的外形設計,創新,
產品信息
高頻寬顯存是一款新型的 CPU/GPU 記憶體晶片，就像摩天大廈中的樓層一樣可以垂直堆疊。基於這種設計，信息交換的時間將會縮短。這些堆疊的晶片通過稱為“中介層”的超快速互聯方式連線至 CPU 或 GPU。將高頻寬顯存的堆疊插入到中介層中，放置於 CPU 或 GPU 旁邊，然後將組裝後的模組連線至電路板。儘管這些 HBM 堆疊沒有以物理方式與 CPU 或 GPU 集成，但通過中介層緊湊而快速地連線後，高頻寬顯存具備的特性幾乎和晶片集成的RAM 一樣。
這種顯存由若干層高頻寬記憶體Die垂直堆疊，各Die與最底層的邏輯Die均通過TSV穿透矽通孔和μbumps微凸點技術直接互連（沒錯，每一層都通過若干個通道直通邏輯Die，而不與其他Die通信），再通過同樣的技術，經中介層與GPU通信。未來HBM推廣到CPU或者SoC晶片上，也是同樣的結構。
功耗效率
在過去的多年裡，GDDR5 在業界發揮了重要作用。迄今為止，這項顯存技術中的存儲功能幾乎套用在每個高性能顯示卡上。但是隨著顯示卡晶片的快速發展，人們對快速傳輸信息（“頻寬”）的要求也在不斷提高。GDDR5技術發展漸漸進入瓶頸期。
GDDR5雖然頻率普遍已經達到了1750MHz（實際7000MHz以上），每個封裝位寬為32-bit，頻寬為28GB/s，每瓦頻寬實測10.66GB/s。而第一代HBM頻率最高只有500MHz（實際工作頻率1000MHz），但是每個封裝的匯流排位寬高達1024-bit，頻寬超過100GB/s，電壓低至1.3V，每瓦頻寬超過35GB/s，實測功耗降低50%以上。
高頻寬顯存HBM實際上是現有GDDR5的完全替代，如今GDDR5的性能功耗曲線已經呈現出非線性曲線，通過簡單的提升頻率增加頻寬的方法已經不足以支撐未來的顯示卡性能的發展，所以打破常規開發出更有效的解決辦法才是一勞永逸的變革。AMD與SK Hynix通過更合理的設計理念、更先進的工藝、更高的集成度成功的解決了原有GDDR5在高端顯示卡中頻寬不足、功耗大、占用PCB面積大等諸多負面影響。
傳統顯存顆粒與GPU之間互動完全依靠PCB的走線設計，在信息互動愈發高速的現代社會已經急需進一步提高，那么能夠實現顯存顆粒與GPU之間快速互動的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運用，顯存顆粒得以進一步拉近與GPU之間的互動，極大地提升每瓦頻寬，性能功耗比提升顯著。傳統顯存顆粒與GPU之間互動完全依靠PCB的走線設計，在信息互動愈發高速的現代社會已經急需進一步提高，那么能夠實現顯存顆粒與GPU之間快速互動的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運用，顯存顆粒得以進一步拉近與GPU之間的互動，極大地提升每瓦頻寬，性能功耗比提升顯著。傳統顯存顆粒與GPU之間互動完全依靠PCB的走線設計，在信息互動愈發高速的現代社會已經急需進一步提高，那么能夠實現顯存顆粒與GPU之間快速互動的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運用，顯存顆粒得以進一步拉近與GPU之間的互動，極大地提升每瓦頻寬。
