《高質量氧化錫薄膜的製備及其發光性質的研究》是依託山東大學，由馬瑾擔任項目負責人的重大研究計畫。
基本介紹
- 中文名：高質量氧化錫薄膜的製備及其發光性質的研究
- 項目類別：重大研究計畫
- 項目負責人：馬瑾
- 依託單位：山東大學
- 批准號：90401004
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：24（萬元）
中文摘要
採用MOCVD等方法製備氧化錫薄膜，研究製備條件、退火過程和襯底材料對薄膜結構的影響；研究薄膜生長的晶格適配問題，尋找合適的襯底材料，探索用MOCVD方法製備高質量氧化錫薄膜的最佳工藝條件；研究薄膜的發光性質及其與薄膜結構的關係；通過進行摻雜引入新的複合中心，研究摻雜薄膜的發光特性和及能帶結構；研究氧化錫薄膜的發光機制，對氧化錫薄膜光發射給予理論上的解釋。.藍光發光二極體和藍光及紫外光雷射器在全色顯示、白光照明以及光信息存儲等領域有著極其廣闊的套用前景。與氮化鎵和氧化鋅相比較，氧化錫材料不僅具有更寬的帶隙（3.6eV）和更高的激子束縛能(130meV)，而且具有製備溫度低和物理化學穩定性好等優點，是一種很有前途的紫外和藍光材料。研究高質量氧化錫薄膜的製備和發光性質，弄清其發光機理，將為該材料在紫外光和藍光器件上的套用奠定基礎。因此，該項研究既具有重要的科學意義又具有良好的套用前景。
