《高溫SiC MEMS感測器的熱電特性》是2022年科學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 書名：高溫SiC MEMS感測器的熱電特性
- 作者：[澳] 丁東安、[澳] 阮南中、[澳] 陶宗越
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2022年6月1日
- ISBN：9787030724892
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
《高溫SiC MEMS感測器的熱電特性》主要介紹了碳化矽(SiC)感測器在高溫下熱電特性的研究進展。《高溫SiC MEMS感測器的熱電特性》可分為三部分，共七章。第一部分從單層SiC和多層SiC的熱阻效應、熱電效應、熱電子效應和熱電容效應等物理效應方面來介紹SiC的熱電特性；第二部分介紹了SiC的諸多重要特徵以及SiC MEMS的製造流程，總結了SiC感測器、熱流感測器和對流慣性感測器的*新進展；第三部分論述了SiC熱電感測器的套用前景。
圖書目錄
第1章 SiC及熱電特性簡介 1
1.1 背景 1
1.2 SiC 3
1.3 SiC 生長 4
1.4 熱電特性 5
1.5 高溫SiCMEMS感測器 7
參考文獻 8
第2章 SiC熱電特性基礎 12
2.1 熱阻效應 12
2.1.1 半導體材料的物理參數與基本概念 14
2.1.2 單晶碳化矽 15
2.1.3 多晶破化矽 17
2.1.4 非晶碳化矽 18
2.2 熱電子效應 18
2.3 熱電容效應 20
2.4 熱電效應 20
2.5 高溫下SiC熱電特性的研究現狀 21
2.5.1 熱電效應的試驗裝置 22
2.5.2 單層SiC的熱阻效應 22
2.5.3 多層SiC的熱電效應 31
2.6 4H-SiCp-n結 33
2.7 高溫下其他熱電特性 36
2.7.1 熱電效應 36
2.7.2 熱電容效應 38
參考文獻 39
第3章 高溫SiC感測器的理想性能 47
3.1 靈敏度 47
3.2 線性度 50
3.3 熱回響時間 51
3.4 低功耗 53
3.5 穩定性和其他性能 54
參考文獻 55
第4章 SiCMEMS感測器的製備 60
4.1 生長與摻雜 60
4.1.1 SiC的生長 60
4.1.2 SiC摻雜 62
4.2 SiC刻蝕 63
4.2.1 電化學刻蝕 64
4.2.2 化學刻蝕 65
4.2.3 乾法刻蝕或反應離子刻蝕 65
4.3 SiC的歐姆接觸和肖特基接觸 67
4.3.1 歐姆接觸 67
4.3.2 肖特基接觸 71
4.4 SiCMEMS感測器的製造工藝 74
4.4.1 表面微加工工藝 74
4.4.2 體微加工工藝 74
4.4.3 集成冷卻系統的MEMS器件的製備 77
參考文獻 78
第5章 設計和工藝對SiC熱器件性能的影響 84
5.1 襯底影響 84
5.2 摻雜影響 85
5.3 表面形貌 87
5.4 沉積溫度 88
5.5 幾何與尺寸 89
參考文獻 90
第6章 SiC熱電特性的套用 96
6.1 溫度感測器、溫度控制/補償與熱測量 96
6.1.1 熱電阻 97
6.1.2 p～n結溫度感測器 99
6.2 熱阻感測器 100
6.2. 1 熱線及熱膜式流量感測器 102
6.2. 2 量熱式流量感測器 107
6.2.3 飛行時間流量感測器 108
6.3 對流加速度計與陀螺儀 109
6.3.1 對流加速度計 109
6.3.2 對流陀螺儀 110
6.4 其他套用 111
6.4.1 易燃氣體感測器 111
6.4.2 集成加熱、感知和微流控冷卻的SiC MEMS 112
參考文獻 116
第7章 SiC熱電感測器展望 123
7.1 絕緣體上SiC薄膜 123
7.2 SiC熱電器件與其他材料的集成 125
7.3 SiC熱驅動器 126
7.4 SiC感測器的發展與挑戰 127
參考文獻 129
