《高比表面核殼PEDOT與碳管複合材料的製備及電容特性研究》是依託中國科學院理化技術研究所，由胡秀傑擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高比表面核殼PEDOT與碳管複合材料的製備及電容特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：胡秀傑
- 依託單位：中國科學院理化技術研究所
- 批准號：20874112
- 申請代碼：B0204
- 負責人職稱：副研究員
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
本研究擬以高導電率、高比表面一維核殼PEDOT及PEDOT/PSS與碳納米管的一維複合材料為目標產物，並將其作為電極材料套用於超級電容器中，以期獲得超級電容器的高比容量，為其在電容器件上的套用奠定基礎。主要研究內容包括：將反膠束法與水熱法結合製備一維核殼結構的PEDOT，在反膠束法製備的PEDOT核上，調控合成生長多孔的PEDOT殼，利用核的高導電性及殼的高比表面，特別是殼的多孔結構，使電解質溶液有效滲透至孔中，獲得真正有效的高比表面，進而獲得具出色電容特性的超級電容器電極新材料。此外，將本研究組建立的真空自組裝方法拓展至PEDOT與碳納米管一維複合材料的製備中，利用該材料高導電性、高比表面以及導電聚合物氧化還原反應產生的法拉第準電容對碳納米管材料比電容的補充，為超級電容器電極新材料的套用奠定基礎。
