《高新科技譯叢：模擬與超大規模積體電路》是2013年國防工業出版社出版的圖書，作者是陳惠開。
基本介紹
- 中文名：高新科技譯叢：模擬與超大規模積體電路
- 作者：陳惠開 (Wai-Kai Chen)
- 譯者：楊兵
- 出版社：國防工業出版社
- 出版時間：2013年11月1日
- 頁數：516 頁
- 開本：16 開
- ISBN：9787118090055
- 外文名：Analog and VLSI Circuits Third Edition
- 語種：簡體中文
內容簡介,圖書目錄,作者簡介,
內容簡介
《高新科技譯叢:模擬與超大規模積體電路(第3版)》介紹雙極積體電路技術中使用的基本的偏置構成模組以及隨著時間的演化。對積體電路放大器技術提供指導，討論兼容所有標準並適用於開發一個單晶片CMOS解決方案的電路技術。當採用模擬和VLSI電路時，《模擬與超大規模積體電路(第3版)》無疑是工程師在遇到問題時尋找解決方案的第一選擇。
《高新科技譯叢:模擬與超大規模積體電路(第3版)》匯集了國際上的學者提供的最新的有關模擬和VLSI電路的信息，省略了大量的理論和公式推導，以利於在每章提供更多的例子。第一部分的內容側重於模擬積體電路，提供最新的分立器件模型、模擬電路單元、高性能模擬電路、射頻通信電路和PLL電路的知識。在書的後半部分，由知名學者提供了VLSI電路的最新發現，包括數字電路、數字系統和數據轉換器。
圖書目錄
第一部分模擬積體電路
第1章單器件模型
1.1雙極型電晶體
1.1.1 Ebers—Moll模型
1.1.2 Gummel—Poon模型
1.1.3雙極型電晶體的電流增益
1.1.4大電流現象
1.1.5小信號模型
1.1.6 工藝
1.1.7模型參數
1.1.8鍺矽異質結雙極型電晶體（SiGe HBT）
1.2金屬一氧化物一矽場效應電晶體
1.2.1 引言
1.2.2溝道電荷
1.2.3伏一安特性
1.2.4電晶體的電容
1.2.5 小信號工作
1.2.6基於設計的分析策略
1.3 JFET，MESFET和HEMT技術與器件
1.3.1 引言
1.3.2矽JFET器件工作原理和技術
1.3.3化合物半導體FET工藝
1.3.4結論
1.4無源器件
1.4.1 電阻
1.4.2電容
1.4.3 電感
1.5模擬積體電路中晶片的寄生效應
1.5.1 互連寄生效應
1.5.2壓焊點和封裝寄生參數
1.5.3寄生參數測量
第2章模擬電路單元
2.1雙極偏置電路
2.1.1普通雙極型電晶體（BJT）偏置電路
2.2線性雙極型技術的典型單元
2.2.1 引言
2.2.2小信號模型
2.2.3單輸入單輸出典型單元
2.2.4差分放大器
2.3 MOSFET的偏置電路
2.3.1 引言
2.3.2器件類型和模型
2.3.3電壓和電流基準和偏置電路
2.3.4基於不常用器件的電壓和電流基準
2.3.5基於N型和P型摻雜多晶矽柵閾值的電壓基準
2.3.6簡單的放大器偏置及其他電路
2.3.7低電源電壓偏置電路
2.3.8動態偏置
2.3.9結論
2.4 MOSFET技術的典型單元
2.4.1 匹配的器件對
2.4.2不匹配器件對
2.4.3複合電晶體
2.4.4超級MOS電晶體
2.4.5基本的電壓增益單元
2.4.6結論
第3章高性能模擬電路
3.1寬頻雙極網路
3.1.1 引言
3.1.2米勒（Miller）定理
3.1.3在高頻時雙極型電晶體的建模
3.1.4單增益級
3.1.5 Cμ的中和
3.1.6負反饋
3.1.7 RF雙極性電晶體布局
3.1.8雙極型電流模寬頻電路
3.1.9寬頻放大器的穩定性
3.1.10結論
附錄A：電流反饋傳輸函式和頻寬特性
附錄B：電壓反饋的傳輸函式和頻寬特性
附錄C：電流反饋Op—amp輸入級的跨導
附錄D：Widlar電流鏡像的傳輸函式
附錄E：帶發射極負反饋電阻的Widlar電流鏡的傳輸函式
3.2雙極噪聲
……
第二部分超大規模積體電路
致謝
參考文獻
作者簡介
作者：（美國）陳惠開（Wai—Kai Chen） 譯者：楊兵 張鎖印
