《高密度納米矽平面陣列的研製及其場電子發射效應》是依託南京大學，由徐駿擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高密度納米矽平面陣列的研製及其場電子發射效應
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：徐駿
- 依託單位：南京大學
- 批准號：50472066
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
探索製備高密度納米矽陣列的新途徑和新效應，發展納米矽基新器件是目前國際上的研究熱點與前沿課題，也是半導體材料與光電功能薄膜領域具有重要意義的研究方向。本項目立足於與當前微電子工藝相兼容的的技術手段，基於超短脈衝準分子雷射與熱退火與矽超薄膜相互作用的限制性晶化原理，製備出高密度納米矽平面陣列結構材料，對納米矽陣列的表面結構與形貌進行系統表征和研究；在此基礎上，研究準分子脈衝雷射和熱退火與非晶矽超薄膜的互作用過程，非晶矽向納米矽轉化過程中成核與長大的機制以及控制相應條件獲得高密度納米矽陣列。著重研究其場電子發射特性，特別是其場增強作用，探索其在真空納電子器件中的套用可能性。爭取在在理論和實驗的源頭創新上有所突破，解決關鍵的製備技術，研製出具有一定實用性的基於矽基納米結構的原型器件。
