飛行時間二次離子質譜是一種用於數學領域的分析儀器，於2013年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：飛行時間二次離子質譜
- 產地：德國
- 學科領域：數學
- 啟用日期：2013年12月1日
- 所屬類別：分析儀器 > 質譜儀器 > 同位素質譜儀
技術指標,主要功能,
技術指標
1 分析器：反射式質量解析度：M/△M ＞1100028SiH+ ＞16000 (＞200amu) 質量範圍: ＞12000amu2 LMIG：Bi源最大能量：30keV最大電流：30nA最小束斑直徑：＜100nm(Atomic), ＜80nm(Cluster)3 GCIB (Ar團簇離子槍) 能量範圍：2.5～20keVCluster 大小：約2500（m=100000amu）4 O2+離子槍 (僅作濺射)離子能量範圍：0.2～2keV5 Cs+離子槍(和O2+離子槍共享一個離子光學系統)離子能量範圍：0.2～2keV6 帶電中和低能電子槍能量：1-20eV可調 7 樣品台：5維加熱/冷卻控溫範圍及精度：-150℃～600℃；±1℃8 E。
主要功能
基本功能： 可用以表面下範圍在2nm以內的最表層分析，能檢測出包括氫(H)在內的所有元素及其同位素，對所有元素具有極高的檢測靈敏度(ppm～ppb,因元素而異)，可檢測痕量雜質，及微量摻雜對材料和器件性能的影響；能測定從表面到深至數十μm的微量元素及化合物濃度布；能觀測各種元素及化合物的1D、2D、3D分布，具有很高的空間解析度(＜100nm)；能分析絕緣材料；能鑑定有機化合物分子，對有機材料結構分析有獨特的能力，適於分析大分子、超高分子量有機化合物，並能測定分子量；能取得單分子層表面結構信息。 n。
