項金娟，女，中國科學院大學專職教師。
基本介紹
- 中文名：項金娟
- 畢業院校：中國科學院大學
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
人物經歷,科研成果,專利成果,發表論文,
人物經歷
2017-04~現在, 中國科學院微電子研究所, 副研究員
2016-07~2017-03,中國科學院微電子研究所, 助理研究員
2013-09~2016-07,中國科學院大學, 研究生/博士學位
2009-08~2013-08,中國科學院微電子研究所, 助理研究員
2007-04~2009-06,中國科學院瀋陽科學儀器研製中心有限公司, 工藝工程師
2004-09~2007-04,哈爾濱理工大學, 研究生/碩士學位
2000-09~2004-07,哈爾濱理工大學, 本科/學士學位
科研成果
專利成果
（ 1 ） 半導體器件與其製作方法, 2021, 第 1 作者, 專利號: 201811564982.1
（ 2 ） 一種半導體器件製備方法及製備得到的半導體器件, 2019, 第 1 作者, 專利號: 201910631672.5
（ 3 ） TRANSISTOR HAVING A GATE WITH A VARIABLE WORK FUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, 2019, 第 1 作者, 專利號: 10,312,345B2
（ 4 ） 半導體器件製造方法, 2018, 第 1 作者, 專利號: CN201410353945.1
（ 5 ） 後柵工藝中金屬柵的製作方法, 2015, 第 1 作者, 專利號: CN201010500383.0
發表論文
（1） Influence of interlayer GeOx thickness on band alignment of Al2O3/GeOx/ Ge structure, MaterialsScienceinSemiconductorProcessing, 2020, 第 1 作者
（2） Electron mobility in silicon nanowires using nonlinear surface roughness scattering mode, Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 通訊作者
（3） Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/ Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 通訊作者
（4） On the applicability of Gibbs free energy landscape to the definition and understanding of transient negative capacitance in a ferroelectric capacitor, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 通訊作者
（5） Experimental study of the ultrathin oxides on SiGe alloy formed by low-temperature ozone oxidation, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 通訊作者
（6） Atomic Layer Deposition (ALD) of Metal Gates for CMOS, Appl. Sci., 2019, 通訊作者
（7） Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs, Semicond. Sci. Technol., 2019, 通訊作者
（8） Growthmechanismofatomic-layer-depositedTiAlCmetalgate basedonTiCl4 andTMAprecursors, Chin.Phys.B, 2016, 第 1 作者
（9） Investigation of N Type Metal TiAlC by Thermal Atomic Layer Deposition Using TiCl4 and TEA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者
（10） Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO2 Dielectric Using TaCl5 and TEA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者
（11） ECS Journal of Solid State Science and Technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者
（12） Thermal Atomic Layer Deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者
（13） Understanding the Role of TiN Barrier Layer on Electrical Performance of MOS Device with ALD-TiN/ALD-TiAlC Metal Gate Stacks, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者
（14） Investigation of TiAlC by Atomic Layer Deposition as N Type Work Function Metal for FinFET, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015, 第 1 作者
