《面向二次圖形曝光技術的版圖最佳化及切割算法研究》是依託清華大學，由姚海龍擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：面向二次圖形曝光技術的版圖最佳化及切割算法研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：姚海龍
- 項目類別：青年科學基金項目
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
面向22nm及以下工藝尺寸上積體電路的製造需求，在極紫外光刻（Extreme Ultraviolet，EUV）、納米壓印（Nano-Imprint Lithography，NIL）、多重電子束直寫（Multiple E-Beam Direct Write，MEBDW）等晶片生產技術仍面臨技術挑戰和費用瓶頸而無法量產的情況下，二次圖形曝光技術（Double Patterning Lithography，DPL）成為工業界的首選方案以及學術界的研究前沿。二次圖形曝光技術要求將原版圖切割成兩個子版圖。為進一步改善二次圖形曝光技術下的光刻質量，本項目提出全新的版圖切割最佳化目標，並提出針對新最佳化目標的模型化方法和解決方案。在此基礎上，本項目研究版圖最佳化方法，包括層分配、冗餘通孔插入、連線散布、連線加寬、金屬填充等關鍵技術，進一步改善版圖切割結果質量，形成考慮二次圖形曝光技術的版圖最佳化及切割完整流程。
結題摘要
面向二次圖形曝光技術，實現兩種經典的版圖分解方法，包括基於整數規劃的版圖分解方法和基於FM二劃分算法的版圖分解方法。在此基礎上，形成了面向二次圖形曝光技術的版圖分解最佳化流程。為提高版圖分解運行效率，提出並實現高效的並行版圖分解最佳化流程。面向14/10納米及以下的工藝，三次圖形曝光技術不可或缺，提出三次圖形曝光技術下考慮版圖密度的版圖分解與最佳化流程。在研究版圖分解方法的過程中發現，版圖分解的質量嚴重依賴於前期布線結果，因而在布線方法上進行了預探索研究，並將提出的布線方法套用於模擬積體電路和微流控生物晶片的自動化設計過程中，取得突出的實驗結果，具有重要的科研價值和良好套用前景。
