非晶態半導體【amorphous semiconductor】具有半導體性質的非晶態材料。
基本介紹
- 中文名:非靜態半導體
- 外文名:amorphous semiconductor
非晶態半導體是半導體的一個重要部分,1968年S.R.奧弗申斯基關於用硫系薄膜製作開關器件的專利發表以後,引起人們對非晶態半導體的興趣。非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構,也有導帶、價帶和禁帶(見固體的能帶)。材料的基本能帶結構主要取決於原子附近的狀況,可以用化學鍵模型作定性的解釋。目前主要的非晶態半導體有兩大類:硫系玻璃,含硫族元素的非晶態半導體;四面體鍵非晶態半導體。與晶態半導體相比,非晶態半導體存在大量缺陷,主要是空位、微空洞。硫系玻璃中缺陷的形式不是簡單的懸掛鍵,而是“換價對”。目前,非晶態半導體可做成廉價的太陽能電池,並廣泛套用於液晶電視和積體電路中。