《非線性光學晶體光致暗跡的研究》是依託南開大學，由李兵擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：非線性光學晶體光致暗跡的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李兵
- 依託單位：南開大學
- 負責人職稱：副教授
- 申請代碼：E0201
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 批准號：59472006
- 支持經費：8（萬元）
中文摘要
光致暗跡是強光入射下在非線性晶體中產生的強吸收光損傷，它導致倍頻或混頻器件轉換效率的嚴重下降。本項目系統地研究了幾種鈮酸鋰晶體中暗跡的產生和馳豫過程，測量了暗跡的吸收光譜及與弛豫過程相關的激活能，並結合鈮酸鋰晶體的缺陷結構，初步弄清了不同摻質和不同摻雜濃度的鈮酸鋰晶體暗跡的產生與晶體中的本徵缺陷有關，即與鋰離子、鈮離子、氧離子空位有關。由此我們進一步發現，摻鎂和摻鋅鈮酸鋰晶體強光產生的暗跡在氧氣氛下熱處理後得到明顯的降低。熱處理前後兩種晶體的倍頻轉換效率分別由12%和13%提高到30%和34%（入射光功率密度27.5MW/cm（2））。本項目研究得到的結果對其他類似的非線性光學晶體的研究具有參考價值。
