《非磁性半導體的超常磁電阻效應》是依託蘇州大學，由孫華擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：非磁性半導體的超常磁電阻效應
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：孫華
- 依託單位：蘇州大學
- 批准號：10874126
- 申請代碼：A2003
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：33（萬元）
項目摘要
近年來，磁電阻效應因其重要的學術意義與套用價值受到廣泛的關注。在一系列人工或自然材料中發現的載流子輸運行為隨外加磁場的顯著變化，既反映了材料內部複雜的微觀電子結構，同時也為新一代磁輸運電子器件的開發奠定了理論基礎。非磁性半導體材料中發現的超常磁電阻效應是區別於目前主流研究與套用的巨磁電阻與龐磁電阻的新型磁電阻效應，具有低磁噪、大幅度、磁場行為特殊等突破傳統磁電阻效應的優勢。該類磁電阻效應起源於磁場對輸運電子軌道自由度的作用，是霍耳效應在非均勻半導體材料中的異常表現，與材料的非均勻度和幾何構形密切相關。本項目通過理論分析和計算模擬，全面分析該效應的內在機制和最佳化途徑，建立描述此類非均勻霍耳體系的輸運模型和基本算法，尋找非磁性半導體材料中影響和控制超常磁電阻效應的關鍵因素和最佳構形，為新型非磁性半導體磁電子器件的開發設計提供可能的候選者。
