非理想電漿中電子輸運係數的理論計算

《非理想電漿中電子輸運係數的理論計算》是依託陝西師範大學，由屈世顯擔任項目負責人的聯合基金項目。

基本介紹

• 中文名：非理想電漿中電子輸運係數的理論計算
• 項目類別：聯合基金項目
• 項目負責人：屈世顯
• 依託單位：陝西師範大學

項目摘要

本申請擬藉助量子統計物理中有限溫度格林函式的Feynman圖展開方法和廣義線性回響理論，建立在較寬密度或耦合強度範圍內計算非理想電漿中電子輸運問題之系統的全量子論的理論方法。發展其精確可靠的數值計算方法，完成計算電子輸運係數的高效程式。通過理論分析和數值計算，系統研究非理想電漿中的電子輸運問題，特別是電漿禁止效應對電子輸運係數的定量影響。

結題摘要

藉助有限溫度格林函式方法和線性回響理論，在無規相近似和T矩陣近似下，確定了計算非理想等氫離子體中電子輸運系的理論框架，得到了電導率和相應關聯函式的計算公式，制定了相應的數值計算方案，完成了主要程式的編制。此外，研究了弱耦合電漿中原子結構、輻射躍遷強度、及離子碰撞過程隨德拜半徑和磁場強度的變化關係。