非晶矽/晶體矽異質結太陽電池

非晶矽/晶體矽異質結太陽電池

《非晶矽/晶體矽異質結太陽電池》是由化學工業出版社出版的圖書,作者是沃爾夫岡·瑞納·法赫納。

基本介紹

  • 中文名:非晶矽/晶體矽異質結太陽電池
  • 別名:Amorphous Silicon、Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells
  • 作者:[德] Wolfgang Rainer Fahener(沃爾夫岡·瑞納·法赫納) 
  • 語言:簡體中文
  • 出版時間:2014年6月1日
  • 出版社:化學工業出版社
  • 頁數:111 頁
  • ISBN:9787122159359 
  • 類別:科技
  • 開本:16 開
內容簡介,作者簡介,圖書目錄,

內容簡介

非晶矽/晶體矽異質結太陽電池(AmorphousSilicon/CrystallineSiliconHeterojuncionSolarCells)是太陽電池中深具代表性的一類,具有開路電壓高、填充因子高、轉換效率高等優點,具有廣闊的技術進步空間和市場發展前景。
沃爾夫岡·瑞納·法赫納主編的《非晶矽晶體矽異質結太陽電池(精)》介紹了非晶矽/晶體矽異質結太陽電池的基本結構和製備技術,討論了其市場潛力,概述了非晶矽/晶體矽異質結太陽電池的發展歷史,論述了其構成材料及能帶結構,分步詳解了其製備工藝,包括拋光、腐蝕、制絨、本徵層、背電場、減反射層及金屬層沉積等;本書還對其結構的合理性進行了論證。非晶矽/晶體矽異質結太陽電池現階段的主要問題及挑戰有:基礎材料的選擇、n/p結構或者p/n結構的選擇,表面缺陷態、晶矽表面鈍化效果的最佳化、發射極和背電場層。對於測試分析技術,本書部分列舉了反射、透過、微波測試技術、光學及光電測試、橢偏儀、拉曼光譜、光/暗IV曲線、量子效率、光誘導電流等。本書還採用AFORS-HET軟體模擬分析太陽電池的性能並與實驗相比較驗證,並對非晶矽/晶體矽異質結太陽電池的衰減特性和耐輻射特性進行了測試。本書結尾列舉了當前實驗室研究所獲得的最優太陽電池效率和中國目前相關研究和產業現狀。
本書可供從事新能源材料、太陽能光伏以及半導體材料等領域的科技工作者和企業工程師作為參考,也可作為大專院校相關專業師生的教學參考書。

作者簡介

作者:(德國)沃爾夫岡·瑞納·法赫納(Wolfgang Rainer Fahrner)

圖書目錄

AmorphousSilicon/CrystallineSiliconHeterojunctionSolarCells.
1Introduction
1.1BasicStructure
1.2Historyofa-Si:H/c-SiDeviceDevelopment
1.3EconomicAspects
2UsefulMaterialParameters
2.1UsefulDataofMonocrystallineSilicon
2.2UsefulDataofMulticrystallineSilicon
2.3UsefulDataofMicrocrystallineSilicon
2.4UsefulDataofAmorphousSiliconwithRespecttoHeterojunctionSolarCells
3Manufacturing
3.1LappingandPolishing
3.2Texturing
3.3Cleaning
3.4PECVDofi-,n-,andp-Layers
3.5TCO
3.6MetallizationandScreenPrinting
4Concepts
4.1Conventionalna-Si:H/pc-SiCell
4.2Bifaciala-Si:H/c-SiHeterojunctionSolarCellwithIntrinsicThinLayer,HITStructure
4.3a-Si:H/c-SiHeterocontactCellWithouti-Layer
4.4OtherConceptsforImprovedEntranceWindows
4.5a-Si:H/c-SiHeterocontactCellwithInvertedGeometry
4.6InterdigitatedHITCell
5ProblemsandChallenges
5.1ChoiceoftheBaseMaterial,ImpactoftheDoping,n/pVersusp/n
5.2SurfaceStates
5.3SurfacePassivation
5.4PECV-DepositedEmitterandBackSurfaceField
6MeasurementTechniques
6.1Absorption,Reflection,andTransmission
6.2ExcessChargeCarrierLifetime
6.3Electroluminescence
6.4a-SiCharacterization
6.5ElectronicDeviceCharacterization
7Simulation
7.1AFORS-HET
7.2ComparisonwithExperiments
8Long-TermStabilityandDegradation
8.1Long-TermStability
8.2RadiationHardness
9StateoftheArt
10Silicon-BasedHeterojunctionSolarCellsinChina
10.1IntroductionoftheActiveGroupsinthisAreainChina.
10.2ExperimentalStudies
10.3TheoreticalSimulation
References

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