基本介紹
- 中文名:非揮發性SRAM
- 外文名:Non-volatile SRAM
非揮發性SRAM(Non-volatile SRAM,nvSRAM)是一種非揮發性隨機儲存記憶體,他的操作方法和普通的靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory,SRAM)大同小異,但卻不需要...
揮發性存儲器在系統關閉時立即失去存儲在內的信息, 它需要持續的電源供應以維持數據。一般稱之為 RAM,有兩種主要的類型:動態隨機存取記憶體 (DRAM)和 靜態隨機存取記憶體 (SRAM)。非揮發性存儲器在系統關閉或無電源供應時仍能保持數據信息。一個非揮發性存儲器( NVM)器件通常也是一個 MOS管,擁有一個源極,...
1.非揮發性SRAM 非揮發性SRAM(Non-volatile SRAM,nvSRAM)具有SRAM的標準功能,但在失去電源供電時可以保住其數據。非揮發性SRAM用於網路、航天、醫療等需要關鍵場合—保住數據是關鍵的而且不可能用上電池。2.異步SRAM 異步SRAM(Asynchronous SRAM)的容量從4 Kb到64 Mb。SRAM的快速訪問使得異步SRAM適用於小型的...
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的通用型記憶體(Universal memory)。它由Everspin公司生產,其他...
在功耗方面,由於CMOS電晶體的漏電流隨著工藝尺寸的減小而增大,因此,快取SRAM和DRAM的靜態功耗日益加劇;在速度方面,處理器與存儲器的互連延遲限制了系統的主頻。解決該問題的一個有效途徑是構建非易失性的快取,使系統在休眠模式下不丟失數據,從而消除漏電流和靜態功耗,而且非易失性存儲器可通過後道工藝直接集成...
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的通用型記憶體(Universal memory)。它由Everspin公司生產,其他公司,...