《非平衡電漿中雙激發態影響的理論研究》是依託北京套用物理與計算數學研究所，由顏君擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：非平衡電漿中雙激發態影響的理論研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：顏君
- 依託單位：北京套用物理與計算數學研究所
- 負責人職稱：研究員
- 批准號：10674021
- 申請代碼：A2101
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
非局域熱動平衡(non-LTE)電漿的精密細緻研究，不僅具有重要的基礎科學意義，而且在天體物理、高能量密度物理、以及國家高技術項目如慣性約束聚變、X光雷射等研究領域有著重要的套用價值，因此成為了當前原子物理和電漿物理交叉領域的研究趨勢和熱點。本項目將綜合研究non-LTE電漿中，雙（多）激發態的各種產生、衰變機制，闡述它們對各種原子過程速率係數的貢獻。發展多種近似層次的含時、準穩態速率方程計算程式。研究雙（多）激發態對於non-LTE電漿演化、離子豐度以及輻射性質的影響，闡述在non-LTE電漿不同溫度、密度狀態下以及不同的初始條件下，雙（多）激發態影響的物理規律。研究參數精度對non-LTE電漿模擬的影響。從而深化我們對於non-LTE電漿中微觀過程和相關物理規律的理解，提高我們的non-LTE等離子精密模擬能力和研究水平，並推動其在相關研究領域中的套用。
