霍爾效應測試儀器

霍爾效應測試儀器是一種用於材料科學領域的電子測量儀器，於2012年05月14日啟用。

基本介紹

• 中文名：霍爾效應測試儀器
• 產地：美國
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2012年05月14日
• 所屬類別：電子測量儀器 > 通用電子測量儀器

技術指標

1. 該設備主要用於測量Si，SiC，ZnO，GaN，ITO等半導體薄膜的載流子遷移率、霍爾係數以及載流子濃度。並且可以用於測量各種導體膜的方塊電阻； 2．磁場採用永磁體提供。最大磁場不小於0.5 Tesla。磁場不均勻性小於±1 %。在10年內保證磁場變化量小於0.2%； 3．可以進行變溫霍爾效應的測試，溫度在80 K—580 K內可任意調控，控制精度0.1 K，控溫穩定性±0.1 K。 4. 變溫系統在20 分鐘以內在80 K—580 K範圍內實現變溫。並保證變溫過程以及測試過程為全自動程式控制。變溫。

主要功能

測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等參數。