《電離輻射研究高分子駐極體局域能級全譜的結構效應》是依託中國科學技術大學，由張興元擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：電離輻射研究高分子駐極體局域能級全譜的結構效應
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張興元
- 依託單位：中國科學技術大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：29573123
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 申請代碼：B0306
- 支持經費：7（萬元）
中文摘要
改造了80年代初的熱電分析儀，實現了數據採集和溫度控制智慧型化。運用二次輻射和聲探法觀察到α、β-PP體電荷的積聚和鬆弛動力學過程，得到了局域能級的化學和結構明細歸屬。PEN載流子品種可發生由電子到空穴型轉變，輻照後局域能級減小。建立了LIMM和非線性介電測試系統，測得了VDF/TrFE共聚物及其與PT、BT、PZT形成的鐵電複合物的極化分布、退極化過程、非線性介電係數。發現了一階三階介電係數的電場依賴性以及退極化場係數、非線性介電係數的熱滯後性。不同溫度下複合物的Ferro-Ⅰ、Ferro-Ⅱ和Para相都可形成不同的局域能級。這些研究豐富了有關結構陷阱與載流子存儲、輸運、衰減機理的研究，對壓電、熱電功能材料的研究與開發具有直接的指導意義。
