《電離層剖面形狀的理論模擬計算及其套用》是依託中國科學院精密測量科學與技術創新研究院，由蘇元智擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：電離層剖面形狀的理論模擬計算及其套用
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：蘇元智
- 依託單位：中國科學院精密測量科學與技術創新研究院
- 批准號：49104051
- 申請代碼：D0411
- 負責人職稱：助理研究員
- 研究期限：1992-01-01 至 1995-12-31
- 支持經費：4（萬元）
項目摘要
建立一個中緯地區電離層電子濃度隨時間和高度變化的理論模式。該模式以中性大氣的含量、溫度、水平風速和太陽EOV輻射通量等作為基本輸力量，其中風速（垂直漂移）和頂部離子含量可作自由參量，該模式可方便地用於電離層形態學分析和機制學研究，特別是在國際參考電離層的改進研究中，顯示很強的套用能力。使用模式進行模擬計算表明，選用具有一定實驗觀測背景的自由參量和考慮光電子次級電離效應，將可給出較現實的中電離層電子濃度剖面。討論了F1層的出現與演化的機制及F1與F2間各的形成原因，分析了中性原子與分子含量比，頂部輸運通量以及水平中性風等三種物理過程在不同的電離層暴變過程中，對最大電子濃度及其所在高度的相對重要性。
