電漿核測量和診斷

隨著高溫電漿電子溫度的提高，電漿的軔致輻射和高電離雜質的線輻射將有相當大的部分處在軟X射線區，還會有一些超熱電子產生能量相當高的硬X射線。X射線輻射的測量既是高溫電漿能量損失的監測又是若干電漿參數和特性診斷的重要基礎。包括通過X射線連續譜測量電漿電子溫度，X射線雜質譜線和其都卜勒加寬測量電漿離子溫度，診斷電漿的雜質成分並用來研究雜質的空間分布及其輸運過程，通過X射線的測量診斷電漿磁流體不穩定性。

電漿中發生熱核反應以後產生的各種高能粒子和γ射線，其中特別是中子，它不受磁場影響，且容易穿透器壁，可以在裝置才測量，通過中子產額及其空間分布測量，以及中子能譜測量可以判斷中子的產生機制，並且也是離子溫度診斷的重要途徑。

X射線、γ射線和中子都對人體有害，對它們的監測和防護也是高溫電漿實驗必須開展的。

隨著高溫電漿電子溫度的提高，電漿的軔致輻射和高電離雜質的線輻射將有相當大的部分處在軟X射線區，還會有一些超熱電子產生能量相當高的硬X射線。X射線輻射的測量既是高溫電漿能量損失的監測又是若干電漿參數和特性診斷的重要基礎。包括通過X射線連續譜測量電漿電子溫度，X射線雜質譜線和其都卜勒加寬測量電漿離子溫度，診斷電漿的雜質成分並用來研究雜質的空間分布及其輸運過程，通過X射線的測量診斷電漿磁流體不穩定性。

電漿中發生熱核反應以後產生的各種高能粒子和γ射線，其中特別是中子，它不受磁場影響，且容易穿透器壁，可以在裝置才測量，通過中子產額及其空間分布測量，以及中子能譜測量可以判斷中子的產生機制，並且也是離子溫度診斷的重要途徑。

X射線、γ射線和中子都對人體有害，對它們的監測和防護也是高溫電漿實驗必須開展的。