《電場中皺摺橫向表面超晶格光學性質的理論研究》是依託上海交通大學，由孫弘擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：電場中皺摺橫向表面超晶格光學性質的理論研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：孫弘
- 依託單位：上海交通大學
- 批准號：19674036
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費：6.5（萬元）
項目摘要
本研究工作對皺摺表面超晶格和V型量子線中量子局域斯塔克效應進行了系統研究，給出了材料中電子能帶能隙和激子光吸收譜隨外加電場的變化規律。結果顯示皺摺表面超晶格和V型量子線有比一般平面量子阱敏感得多的量子局域斯塔克效應，是用於設計可調控微電子或光電元器件的極佳材料。研究工作還對皺摺表面超晶格在外加磁場中的迴旋共振光吸收譜以及材料中電子氣電荷非均勻分布對電子能級及光收譜的影響進行了計算分析，研究結果對利用皺摺表面超晶格和V型量子線設計新穎的微電子和光電可調控元器件提供了理論基礎。
