電力二極體（Power Diode）在20世紀50年代初期就獲得套用，當時也被稱為半導體整流器；它的基本結構和工作原理與信息電子電路中的二極體是一樣的，都以半導體PN結為基礎，實現正嚮導通、反向截止的功能；電力二極體是不可控器件，其導通和關斷完全是由其在主電路中承受的電壓和電流決定的。
基本介紹
- 中文名：電力二極體
- 外文名：Power Diode
- 時間：20世紀50年代初
- 被稱：半導體整流器
- 參考：發光二極體
介紹,重要類型,
介紹
電力二極體實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的，從外形上看，主要有螺栓型和平板型兩種封裝。
重要類型
其主要類型有普通二極體、快恢復二極體、肖特基二極體。
普通二極體
普通二極體（General Purpose Diode）又稱整流二極體（Rectifier Diode），多用於開關頻率不高（1kHz以下）的整流電路中。
快速恢復二極體
恢復過程很短特別是反向恢復過程很短（5μs以下）的二極體，也簡稱快速二極體。 工藝上多採用了摻金措施，結構上有的採用PN結構類型，也有的採用對此加以改進的PiN結構。
肖特基二極體
以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體稱為肖特基勢壘二極體（Schottky Barrier Diode--SBD），簡稱為肖特基二極體。肖特基二極體的優點在於：反向恢復時間很短（10~40ns），正向恢復過程中也不會有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低於快恢復二極體。因此，其開關損耗和正嚮導通損耗都比快速二極體還要小，效率高。肖特基二極體的弱點在於： 當反向耐壓提高時其正向壓降也會高得不能滿足要求，因此多用於200V以下的低壓場合；反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩態損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限制其工作溫度。
