雷射超聲研究I

《雷射超聲研究I》是依託同濟大學，由魏墨擔任項目負責人的重點項目。

基本介紹

• 中文名：雷射超聲研究I
• 項目類別：重點項目
• 項目負責人：魏墨
• 依託單位：同濟大學
• 批准號：19134011
• 申請代碼：A2303
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1992-01-01 至 1995-12-31
• 支持經費：16（萬元）

中文摘要

已基本完成的<掃描隧道顯微鏡半導體表面結構電子能譜研究>項目研究內容為自行設計建造超高真空掃描隧道顯微鏡，掃描隧道譜儀在原子或納米尺度觀察理想半導體表面及有關的表面物理現象。考慮到半導體拋光片表面質量（平整度，清潔度）問題嚴重影響我國半導體材料工業的生存與發展，研究重點轉向實際表面精細加工的技術問題並開發了在恆電位控制下的電化學掃描隧道顯微鏡，掃描隧道譜以便在電解溶液中原位觀察研究半導體表面微缺陷的產生和粗化原因；固液界面的電子、電化學特性。探索提高表面質量的方法、最佳化工藝條件，取得重要發展。同時觀察到摻雜濃度對GaAs隧道譜的影響及氮離子注入Ti/n-GaAs界面Schottky勢壘高度有明顯提高等基本現象。