雷射沉積技術：利用快速原型製造的基本原理，以金屬粉末為原材料，採用高能量的雷射作為能量源，按照預定的加工路徑，將同步送給的金屬粉末進行逐層熔化，快速凝固和逐層沉積，從而實現金屬零件的直接製造。是雷射增材製造中的一種，還一種是選區雷射融化。
| 中文名稱 | 雷射蒸發與沉積 |
| 英文名稱 | laser evaporation and deposition |
| 定 義 | 利用高能量密度的雷射束，使材料氣化並沉積在適當基體上，以獲得各種薄膜的方法。 |
| 套用學科 | 機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），雷射器件和雷射設備-雷射套用（三級學科） |
雷射沉積技術：利用快速原型製造的基本原理，以金屬粉末為原材料，採用高能量的雷射作為能量源，按照預定的加工路徑，將同步送給的金屬粉末進行逐層熔化，快速凝固和逐層沉積，從而實現金屬零件的直接製造。是雷射增材製造中的一種，還一...
雷射蒸發沉積 雷射蒸發沉積是沉積的一種種類。
脈衝雷射沉積與熱蒸發組合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年12月11日啟用。技術指標 主腔體背景真空可達1*10-10 Torr；主腔體能夠同時裝六個靶材；採用雷射加熱與紅外測溫，生長溫度可達1000 °C；具有高壓...
製得的合金、化合物薄膜組成幾乎與原蒸發材料相同;易於控制，效率高，不會引起靶材帶電。但雷射蒸發過程中有顆粒噴濺，設備成本較貴，大面積沉積尚有困難。雷射蒸鍍可製備各種金屬和高熔點材料，以及半導體、陶瓷等各種無機材料。
超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2017年12月1日啟用。技術指標 本系統主體由預真空進樣室、超高真空脈衝雷射沉積室、超高真空電子束蒸發室和 準分 子雷射器四部分組成。所有主要部件皆須使用進口...
脈衝雷射沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為脈衝雷射燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用雷射對物體進行轟擊，然後將轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上，得到沉澱或者薄膜的一種手段。簡介 隨著現代科學和技術的...
雷射脈衝沉澱非晶化是利用脈衝雷射輻照蒸發靶材材料，使蒸發的材料沉積於基材表面而形成非晶層的工藝方法。武漢理工大學的顧少軒[1]採用脈衝雷射沉積(PLD) 法在載玻片上沉積了Ge-Ga-S-CdS 硫系非晶薄膜, 利用XRD、分光光度計、掃描電鏡...
統，最高加熱溫度不低於1100攝氏度；(3) 配置30 keV高氣壓高能電子束衍射系統 ，可在最高不低於0.4 Torr氧壓下原位監控樣品生長；(4)配置高濃度臭氧產生、 供給和後處理裝置；(5)樣品托可在進樣室、脈衝雷射沉積室和電子束蒸發室...
在整個過程中，氣態的原子、分子在真空中會經過很少的碰撞而直接遷移到基體，並沉積在基體表面形成薄膜。蒸發的方法包括電阻加熱，高頻感應加熱，電子束、雷射束、離子束高能轟擊鍍料等。真空蒸鍍是PVD法中使用最早的技術。蒸發源 將鍍料...
本申請課題擬採用理論和實驗相結合的方法，分析雙束脈衝雷射燒蝕SiC等材料的蒸發和膨脹的物理機制。從研究產生的電漿特性入手，對雙束脈衝雷射沉積過程的主要機理做深入探討，總結出能夠產生電離效率高、大尺寸空間膨脹、壽命長的電漿...
已用於若干材料的低溫沉積，其中包括高質量的高溫超導氧化物薄膜。雷射蒸發可用於透明材料上薄膜的蒸發，從透明材料的背面照射待蒸發薄膜，把基體面向待蒸發薄膜放置，通過控制蒸發區域，則在基體上可沉積出帶花紋的薄膜。
隨著材料科學和材料製備技術的發展，各種先進的薄膜製備工藝和手段不斷湧現，如電漿蒸發沉積、脈衝雷射沉積，電子京蒸發沉積、電弧放電加熱蒸發法、高頻感應加熱蒸發法、離於濺射法等。但是由於這些先進的薄膜製備工藝和技術往往是在板端...
雷射分子束外延系統（LMBE）是在傳統的分子束外延（MBE）和脈衝雷射沉積系統（PLD）的基礎上發展而來的，PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀（RHEED）相結合，使得系統能夠實現類似於MBE的，單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發...
1.物理氣相沉積法：又稱蒸發冷凝法，是利用真空蒸發、雷射加熱蒸發、電子束照射、濺射等方法使原料氣化或形成電漿，然後在介質中急劇冷凝。這種方法製得的納米微粒純度高，結晶組織好，且有利於粒度的控制，但是技術設備相對要求高。依...
