雷射蒸發沉積是沉積的一種種類。
中文名稱 | 雷射蒸發沉積 |
英文名稱 | laser evaporation deposition |
定 義 | 利用大功率雷射的熱效應使蒸發材料被蒸發沉積在基體上成膜。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),薄膜製備技術(四級學科) |
基本介紹
- 中文名:雷射蒸發沉積
- 類型:沉積
- 特點:雷射蒸發
雷射蒸發沉積是沉積的一種種類。
中文名稱 | 雷射蒸發沉積 |
英文名稱 | laser evaporation deposition |
定 義 | 利用大功率雷射的熱效應使蒸發材料被蒸發沉積在基體上成膜。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),薄膜製備技術(四級學科) |
雷射蒸發沉積是沉積的一種種類。...
雷射蒸發與沉積 雷射沉積技術:利用快速原型製造的基本原理,以金屬粉末為原材料,採用高能量的雷射作為能量源,按照預定的加工路徑,將同步送給的金屬粉末進行逐層熔化,快速凝固和逐層沉積,從而實現金屬零件的直接製造。是雷射增材製造中的一種,還一種是選區雷射融化。
超高真空脈衝雷射沉積電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2017年12月1日啟用。技術指標 本系統主體由預真空進樣室、超高真空脈衝雷射沉積室、超高真空電子束蒸發室和 準分 子雷射器四部分組成。所有主要部件皆須使用進口產品。主要分項技術指標如下: (一) 預真空進樣室 1、本底真空度優於5E-7 ...
雷射蒸鍍是利用雷射束作為熱源加熱蒸鍍的一種較新薄膜製備方法。用於雷射蒸發的光源可為C02雷射、如雷射、釹玻璃雷射、紅寶石雷射、YAG雷射以及準分子雷射等。目前通常採用的是在空間和時間上能量高度集中的脈衝雷射,以準分子雷射效果最好。圖9-5雷射蒸發實驗裝置原理 1~玻璃衰減器2一透鏡3一光圈4一光電池5—分...
脈衝雷射沉積與熱蒸發組合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月11日啟用。技術指標 主腔體背景真空可達1*10-10 Torr;主腔體能夠同時裝六個靶材;採用雷射加熱與紅外測溫,生長溫度可達1000 °C;具有高壓RHEED,可在2-~30 Pa氧壓下工作。主要功能 用於生長組合薄膜。
脈衝雷射沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被稱為脈衝雷射燒蝕(pulsed laser ablation,PLA),是一種利用雷射對物體進行轟擊,然後將轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上,得到沉澱或者薄膜的一種手段。簡介 隨著現代科學和技術的發展,薄膜科學已成為近年來迅速發展的學科領域之一,是凝聚態物理學和材料科學的一...
(1)本底真空度優於5E-9Torr; (2) 配置紅外雷射加熱和電阻加熱雙加熱系 統,最高加熱溫度不低於1100攝氏度;(3) 配置30 keV高氣壓高能電子束衍射系統 ,可在最高不低於0.4 Torr氧壓下原位監控樣品生長;(4)配置高濃度臭氧產生、 供給和後處理裝置;(5)樣品托可在進樣室、脈衝雷射沉積室和電子束蒸發室之間...
在整個過程中,氣態的原子、分子在真空中會經過很少的碰撞而直接遷移到基體,並沉積在基體表面形成薄膜。蒸發的方法包括電阻加熱,高頻感應加熱,電子束、雷射束、離子束高能轟擊鍍料等。真空蒸鍍是PVD法中使用最早的技術。蒸發源 將鍍料加熱到蒸發溫度並使之氣化,這種加熱裝置稱為蒸發源。最常用的蒸發源是電阻蒸發...
雷射熱加工是指利用雷射束投射到材料表面產生的熱效應來完成加工過程,包括雷射焊接、雷射雕刻切割、表面改性、雷射鐳射打標、雷射鑽孔和微加工等;光化學反應加工是指雷射束照射到物體,藉助高密度雷射高能光子引發或控制光化學反應的加工過程。包括光化學沉積、立體光刻、雷射雕刻刻蝕等。簡介 原理 雷射加工是利用光的...
(5)雷射加熱:脈衝雷射加熱表面可實現材料的瞬時蒸發,脈衝雷射作為一種新的加熱源,其特點之一是能量在時間和空間上高度集中,與常規的熱蒸發有顯著區別。帶有離子轟擊裝置的雷射蒸發,已用於若干材料的低溫沉積,其中包括高質量的高溫超導氧化物薄膜。雷射蒸發可用於透明材料上薄膜的蒸發,從透明材料的背面照射待蒸發...
《雙束脈衝雷射技術製備大尺寸緻密均勻的SiC薄膜》是依託山東大學,由劉向東擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本申請課題擬採用理論和實驗相結合的方法,分析雙束脈衝雷射燒蝕SiC等材料的蒸發和膨脹的物理機制。從研究產生的電漿特性入手,對雙束脈衝雷射沉積過程的主要機理做深入探討,總結出能夠產生電離效率高、...
雷射上釉結合火焰噴塗、等離子噴塗、離子沉積等技術,在控制組織、提高表面耐磨、耐腐蝕性能方面有著廣闊的套用前景。電子材料、電磁材料和其他電氣材料經雷射上釉後用於測量儀表極為理想。雷射去除 是利用雷射使工件表面污物、銹斑或塗層發生瞬間蒸發或剝離,高速有效地清潔工件表面。雷射清潔工藝不用有機溶劑,無污染、無...
熱加工和冷加工均可套用在金屬和非金屬材料,進行切割,打孔,刻槽,標記等.熱加工金屬材料進行焊接,表面處理,生產合金,切割均極有利.冷加工則對光化學沉積,雷射快速成形技術,雷射刻蝕,摻染和氧化都很合適。雷射快速成型 用雷射製造模型時用的材料是液態光敏樹脂, 它在吸收了紫外波段的雷射能量後便發生凝固,...
雷射清洗方法主要有4種:①雷射乾洗法,即採用脈衝雷射直接輻射去污;②雷射+液膜方法,即首先沉積一層液膜於基體表面,然後用雷射輻射去污;③雷射+惰性氣體的方法,即在雷射輻射的同時,用惰性氣體吹向基體表面,當污物從表面剝離後會立即被氣體吹離表面,以避免表面再次污染和氧化;④運用雷射使污垢鬆散後,再用非...
隨著材料科學和材料製備技術的發展,各種先進的薄膜製備工藝和手段不斷湧現,如電漿蒸發沉積、脈衝雷射沉積,電子京蒸發沉積、電弧放電加熱蒸發法、高頻感應加熱蒸發法、離於濺射法等。但是由於這些先進的薄膜製備工藝和技術往往是在板端條件(如高真空條件)、高消耗下進行的,要在材料類本科培養環節完成該實驗工藝的...
雷射分子束外延 雷射分子束外延是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 將分子束外延技術與脈衝雷射沉積技術的有機結合,在分子束外延條件下雷射蒸發鍍膜的技術。出處 《材料科學技術名詞》。
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 TSST-PLD/PVD複雜氧化物薄膜材料的單層沉積,實現包括金屬,氧化物和半導體材料的多材料,多組分沉積。主要功能 PLMBE是將雷射聚焦於靶材上一個較小的面積,利用雷射的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離,使其能夠脫離...
雷射物理氣相沉積(LaserPlysial VapourDepostion簡稱LPVD) 的基本原理是在真空室內安放靶材和基體。雷射照射於蒸鍍材料的表面,利用雷射的高能量使蒸鍍材料加熱蒸發,並在基體表面沉積形成膜層。雷射束經過聚集後有極高的能量密度,可以使包括非導電的陶瓷材料在內的幾乎所有的高熔點材料直接蒸發。雷射束照射到靶材表面,...
1.物理氣相沉積法:又稱蒸發冷凝法,是利用真空蒸發、雷射加熱蒸發、電子束照射、濺射等方法使原料氣化或形成電漿,然後在介質中急劇冷凝。這種方法製得的納米微粒純度高,結晶組織好,且有利於粒度的控制,但是技術設備相對要求高。依據加熱源的不同,物理氣相沉積法又可以分為:(1)惰性氣體蒸發冷凝法:此法...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面...
薄膜的光學性質,如折射率、吸收和雷射損傷閾值,主要依賴於膜層的顯微結構。薄膜材料、殘餘氣壓和基底溫度都可能影響薄膜的顯微結構。如果蒸發沉積的原子在基底表面的遷移率低,則薄膜會含有微孔。當薄膜暴露於潮濕的空氣時,這些微孔逐漸被水汽所填充。填充密度定義為薄膜固體部分的體積與薄膜的總體積(包括空隙和微孔)...
和化學氣相沉積相比,物理氣相沉積適用範圍廣泛,幾乎所有材料的薄膜都可以用物理氣相沉積來製備,但是薄膜厚度的均勻性是物理氣相沉積中的一個問題。主要的物理氣相沉積的方法有:熱蒸鍍、濺鍍、和脈衝雷射沉積等。濺射(sputtering),也稱濺鍍(sputter deposition/coating),是一種物理氣相沉積技術,指固體靶"target"...