雙柵MOSFET(Double gate structure MOSFET):
雙柵極結構MOS場效應電晶體是MOSFET減小寄生參量、以提高截止頻率的一種結構(見圖示)。它通過第二個柵極G2交流接地, 可在第一個柵極G1和漏極D之間起到有效的靜電禁止作用, 從而使得柵極與漏極之間的反饋電容(是Miller電容)大大減小,則提高了頻率。
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金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效...
國內外科研人員經過大量的研究,已經提出了許多新型結構的MOSFET器件。新型器件結構主要有:Silicon-On-Insulator (SOI) MOSFET, Dual-Material-Gate (DMG) M0SFET, ...