雙埠隨機存取記憶體（Dual-ported RAM）簡寫為DPRAM，是一種允許同時（或幾乎同時）由二個設備存取的隨機存取記憶體。雙埠隨機存取記憶體有兩組位址匯流排及兩組資料匯流排（因此稱為“雙埠”），因此允許由二個設備存取，而一般的隨機存取記憶體的位址匯流排及資料匯流排都只有一組。
基本介紹
- 中文名：雙埠隨機存取記憶體
- 外文名：Dual-ported RAM
簡介,動態隨機存取存儲器,隨機存取存儲器,競爭冒險,
簡介
雙埠隨機存取記憶體（Dual-ported RAM）簡寫為DPRAM，是一種允許同時（或幾乎同時）由二個設備存取的隨機存取記憶體。雙埠隨機存取記憶體有兩組位址匯流排及兩組資料匯流排（因此稱為“雙埠”），因此允許由二個設備存取，而一般的隨機存取記憶體的位址匯流排及資料匯流排都只有一組。
不過大部分的雙埠隨機存取記憶體都是用靜態隨機存取存儲器（SRAM），不會使用像VRAM一樣的DRAM技術。大部分CPU的暫存器都是用小尺寸的雙埠（或多埠）隨機存取記憶體來實現，（參考暫存器堆）。一般若使用雙埠隨機存取記憶體，若在同一個位置同時（或幾乎同時）由不同設備寫入不同資料，會有競爭危害的問題。
動態隨機存取存儲器
動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容記憶體儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。
與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。
隨機存取存儲器
隨機存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外，見下文），而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在運行中的程式的臨時數據存儲媒介。
主存（Main memory）即電腦內部最主要的存儲器，用來載入各式各樣的程式與數據以供CPU直接運行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
競爭冒險
競爭冒險（race hazard）又名競態條件、競爭條件（race condition），它旨在描述一個系統或者進程的輸出依賴於不受控制的事件出現順序或者出現時機。此詞源自於兩個信號試著彼此競爭，來影響誰先輸出。
