電中性p區與n區的長度大於少子擴散長度的二極體。
基本介紹
- 中文名：長二極體
- 外文名：long diode
簡介,原理,
簡介
是指在二極體中，電中性的p區和n區的長度都大於少子的擴散長度。
原理
如圖1所示，當p型半導體區與n型半導體區相接觸時，會形成一個pn結。此時，由於兩邊的載流子濃度不同，n區的多子電子向p區擴散，而p區的多子空穴向n區擴散。隨著電子由n區向p區擴散，帶正電的施主離子被留在n區。同樣，隨著空穴由p區向n區擴散，p區由於存在帶負電的受主離子而帶負電。n區與p區的淨正電荷和負電荷在冶金結附近感生出了一個內建電勢，方向由正電荷區指向負電荷區，也就是由n區指向p區。可以這樣認為，由於濃度梯度的存在，多數載流子便受到了一個“擴散力”。而上述內建電勢產生的電場作用在電子與空穴上，便會阻礙少子（n區中的空穴/p區中的電子）的擴散，使其擴散長度是有限的，我們把電中性的p區和n區的長度都大於少子的擴散長度的二極體稱為長二極體。
圖1
