基本介紹
- 中文名:鐵電存儲器
- 作者:朱勁松 、呂笑梅
- 出版社:清華大學出版社
- 出版時間:2004年9月1日
- 頁數:264 頁
- 定價:45 元
- 裝幀:平裝(無盤)
- ISBN:9787302090144
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源...
內容簡介鐵電存儲器是近10餘年研究出的一種重量輕、存取速度快、壽命長、功耗低的新型存儲器,有極好的套用背景。本書是引領域的第一本專著,內容包括鐵電基礎...
鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度,像工業標準的串列...
富士通鐵電存儲器,國際鐵電存儲器生產商,國內總代理:深圳市英博思電子有限公司。富士通鐵電存儲器原理:FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲,鐵電晶體的結構如圖...
基於鐵電性中的電滯現象,可利用鐵電疇在電場下反轉形成高極化電荷,或無反轉形成低極化電荷來判別存儲單元是在 ”1”或“0” 狀態,進而製作鐵電存儲器。 [2]...
WFRAM是由美國 Ramtron公司生產的非易失性鐵電介質讀寫存儲器。 其核心技術是鐵電晶體材料,這一特殊材料使得鐵電存貯產品同時擁有隨機存儲器(RAM) 和非易失性...
Flash 存儲器是最常見的非揮發性存儲器,近些年,隨著科學技術的發展,出現了一些新型非揮發性存儲器,如:鐵電存儲器(FRAM)、相變存儲器(PRAM)、磁存儲器(MRAM)和...
《壓電鐵電物理》是2009年4月科學出版社出版的圖書,作者是王春雷,李吉超,趙明磊。... 10.7 熱釋電探測器 291 10.8 鐵電存儲器 292 10.9 鐵電製冷器 29...
《鐵電體及有關材料的原理和套用》是在北京:科學出版社出版的圖書,作者是萊因斯。... 鐵電存儲器技術原理、特性及套用美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心...
自旋磁存儲器(Spin Transfer TorqueRAM,STT-RAM)、相變存儲器(Phase Change Memory, PCM) 、阻變存儲器(Resistive RAM,RRAM)、鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, Fe...
第5章 使用新興NV存儲器件的神經形態計算 5.1 神經形態系統中電阻式RAM和鐵電RAM的概述 5.2 各種電阻式RAM用作神經形態系統中的突觸 5.3 3D神經形態存儲器 ...
記憶體的五大優點,這使它在各個方面都大大超過了現有的甚至正在研發的存儲技術——快閃記憶體太慢、SRAM和DRAM易揮發、鐵電存儲器FRAM可重寫次數有限、晶相存儲不易控制...
8.3 鐵電存儲器 /249 8.4 相變存儲器 /250 8.5 阻變存儲器 /251 8.6 自旋轉移矩磁存儲器 /254 8.7 本章小結與擴展閱讀 /257 ...
快擦寫存儲器Flash Memory、非易失性靜態讀寫存儲器NVSRAM、新型非易失性鐵電存儲器FRAM、各種多連線埠讀寫存儲器;另個還介紹了用於掉電數據保護的存儲器插座和各種...
FeRAM(Ferroelectric RAM),縮寫為FeRAM或FRAM,類似於SDRAM,是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發...
FM25L04是採用先進的鐵電工藝製造的4K位非易失性存儲器。鐵電隨機存儲器(FRAM)具有非易失性,並且可以象RAM一樣快速讀寫。FM25L04中的數據在掉電後可以保存45...