金屬薄膜應變計

它是將金屬、合金或半導體材料，用真空鍍膜、沉積或濺射方法，在絕緣基底上製成一定形狀的薄膜，其厚度從幾十納米至幾萬納米不等。此外，還有靈敏係數很大的p-n結半導體應變計和壓電場效應應變計。這種應變計是通過規定的掩板在表面有絕緣層的金屬材料或玻璃等無機材料上濺射或沉積一層電阻材料薄膜製成的，也可採用光刻方法製造。還可直接將電阻材料沉積在感測器的彈性敏感元件上，達到更佳的效果。