《金屬矽化物/矽界面低肖特基勢壘形成機理的理論研究》是依託復旦大學，由車靜光擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：金屬矽化物/矽界面低肖特基勢壘形成機理的理論研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：車靜光
- 批准號：60876057
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：40（萬元）
項目摘要
用第一性原理從頭計算和實驗方法，研究金屬矽化物/矽界面肖特基勢壘的形成機理和肖特基勢壘高度（SBH）的調製。金屬矽化物/矽界面會產生不同的界面局域態、界面共振態等，會引起費米能級釘扎，會導致界面兩邊載流子轉移，進而導致能帶彎曲或導致界面電偶極矩，因而改變SBH。本項目計畫，1、研究金屬矽化物和矽的能帶結構及其由參考能級確定的相對能帶結構關係；2、用不同的摻雜、改變其能帶結構；3、界面局域摻雜和引入缺陷，修飾、改變、調製界面能帶結構；4、研究界面態對SBH的影響，歸納調製SBH的物理原理，建立調製SBH的模型。本項目技術線路是，通過第一性理論從頭計算進行不同方式的SBH調製，建立調製模型，並研究其物理機制。
