《金屬元素摻雜的ZnS一維半導體納米材料結構與性能》是依託中國科學院理化技術研究所，由孟祥敏擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：金屬元素摻雜的ZnS一維半導體納米材料結構與性能
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：孟祥敏
- 依託單位：中國科學院理化技術研究所
- 批准號：50572109
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
用熱蒸發方法製備的II-VI族半導體ZnS納米線和納米帶作為基本材料，選擇對材料性能有明顯影響的Mn和Ag作為摻雜元素，通過離子注入方法、改變注入離子的能量和濃度，製備可控的一維金屬元素摻雜的ZnS納米材料。利用掃描電子顯微鏡、透射電鏡、X-射線能譜、電子能量損失譜和元素分布圖來表征摻雜前後的納米材料的形貌、顯微結構和化學成分，以及摻雜元素的賦存狀態；利用光譜分析方法研究幾種不同尺寸、結構、生長方向和摻雜濃度的單根納米材料的發光性能；利用掃描隧道顯微鏡測定單根摻雜後的納米線或納米帶的電流和電壓曲線；並與摻雜前的納米線和納米帶的性能進行比較，得出摻雜含量對幾種尺寸、結構、生長方向不同的納米材料光學和電學性能的影響；總結出它們之間的變化規律。為摻雜金屬元素Mn和Ag的一維半導體ZnS納米材料的套用提供理論和實驗數據。
