| 中文名稱 | 重摻雜矽單晶 |
| 英文名稱 | heavily-doped monocrystalline silicon |
| 定 義 | 摻入雜質量比較多的半導體矽單晶。通常雜質濃度大於每立方厘米原子數為1018個。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 重摻雜矽單晶 |
| 英文名稱 | heavily-doped monocrystalline silicon |
| 定 義 | 摻入雜質量比較多的半導體矽單晶。通常雜質濃度大於每立方厘米原子數為1018個。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |