通態電壓(on-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:通態電壓
- 外文名:on-state voltage
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
通態電壓(on-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。
通態電壓(on-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
IT(AV)--通態平均電流,VRRM--反向重複峰值電壓,IDRM--斷態重複峰值電流,ITSM--通態一個周波不重複浪涌電流,VTM--通態峰值電壓,IGT--門極觸發電流,VGT--門極觸發電壓,IH--維持電流,dv/dt--斷態電壓臨界上升率, di/dt...
指集電極到發射極短路時,器件柵極能承受的最大電壓,一般其絕對值在20V以內。3、集-射極通態電壓 指在額定集電極電流、規定的結溫下集電極到發射極的電壓。4、柵-射極關斷電壓 指在柵-射極電壓最低的情況下,不使IEGT導通的電壓。...
VTM--通態峰值電壓 IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓 IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 di/dt--通態電流臨界上升率 Rthjc--結殼熱阻 ⅥSO--模組絕緣電壓 Tjm--額定結溫 VDRM--斷態重複峰值電壓 IRRM--反向重複...
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關係。IGBT處於導通態時,由於它的PNP電晶體為寬基區電晶體,所以其B值極低。儘管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時,通態電壓 Uds(on) 可用下式表示...
而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極電晶體,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調製,以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏...
VDS(on)---漏源通態電壓 VDS(sat)---漏源飽和電壓 VGD---柵漏電壓(直流)VSU---源襯底電壓(直流)VDU---漏襯底電壓(直流)VGu---柵襯底電壓(直流)Zo---驅動源內阻 η---漏極效率(射頻功率管)Vn---噪聲電壓 aID...
另外一個好處是輸入輸出的隔離,通過主迴路上的電容C1實現。同時具備完全關斷功能,當開關管關閉時,輸出電壓為0V。斬波電路 Sepic斬波電路是開關電源六種基本DC/DC變換拓撲之一。Sepic斬波電路的基本工作原理:當V處於通態時,E—L1—V...
同步整流是採用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極體以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率並且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓。定義 同步整流的基本電路結構 功率MOSFET屬於電壓控制型器件,它在...
肖特基二極體(而非傳統的超快速二極體)具有更低的正向電壓降和極佳的反向恢復特性。DC/DC轉換器同步整流技術 同步整流是採用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極體以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率。
所謂“過零”是指,當加入控制信號,交流電壓過零時,ssr即為通態;而當斷開控制信號後,ssr要等待交流電的正半周與負半周的交界點(零電位) 時,ssr才為斷態。這種設計能防止高次諧波的干擾和對電網的污染。吸收電路是為防止從電源...
當電壓超過其擊穿電壓VBO時,產生瞬間雪崩效應。該雪崩電流一旦超過開關電流IS,即進入雪崩倍增,器件的阻抗驟然減小,電壓降為導通電壓 (V小於1.5V)。此時,SIDAC進入導通狀態,允許通過大的通態電流(0.7-2安培,RMS值)。當電流降到...
由於本設計採用推挽式功率變換電路,在輸入迴路中僅有一個開關的通態壓降,而半橋和全橋電路有2個,因此在同樣的條件下,產生的通態損耗較小,這種拓撲特別適合輸入電壓較低的場合,這也是本設計為什麼採用推挽變換器的原因。其中的變壓器...