簡介,位移效應的結果,
簡介
輻射位移效應是指高能輻射導致半導體材料的原子離開原晶格位置轉移到別的位置上的一種核輻射效應，亦稱位移效應。高能粒子或高輻射造成的次級粒子，與物質晶格原子核發生彈性碰撞， 將其一部分能量傳遞給晶格原子。當傳遞能量大於晶原子的位移閾能時，晶格原子獲得動能而離開原來位置， 轉移到別的位置上而成為間隙原子，原來的晶格位置一個原子形成空位。
位移效應的結果
破壞了晶格的勢能，因而在禁帶中形成新的電子能級。它不僅成為複合中心，而且充當少子陷阱或散射中心。主要表現在一下三個方面：
- 電導率減少
- 散射中心使載流子遷移率下降
- 少子陷阱或複合中心的存在使少子壽命下降
