軟烘

在矽片上旋轉塗布光刻膠之後，矽片要經過一個高溫步驟，稱為軟烘。

基本介紹

• 中文名：軟烘
• 外文名：soft bake

光刻膠軟烘的原因有以下幾點喇譽：

（1）將矽片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；

（2）增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠紋再芝可以很好地粘附；

（3）緩和在旋轉過程中光刻膠膜內產生的應力；

（4）防止光刻膠沾到設備上（保持器械乾淨）。

軟烘的溫度和時間視具體光刻膠和工藝條件而定。參考光姜刪艱刻膠生產商推薦的工紙祖譽凳藝，設定軟烘參數的起止點，而後，最佳化工藝以達到產品需要的粘附性和尺寸控制。軟烘溫度通常在85度~120度範圍內。軟烘的過程根據不同的光刻膠而變化，但通常的時間是30~60秒。

如果光刻膠膠膜重重嫌在塗判拳葛記戰多欠膠後沒有軟烘而直接進行對準和曝光，將可能出現以下問題：

（1）光刻膠薄膜發黏並易受顆粒沾污；

（2）光刻膠薄膜來自於旋轉塗膠的內在應力將導致粘附性問題；

（3）由於溶劑含量過高導致在顯影時由於溶解差異，而很難區分曝光和未曝光的光刻膠；

（4）光刻膠散發的氣體（由於曝光時的熱量）可能沾污光學系統的透鏡。