超級鉭電解電容器Ta2O5介質薄膜生長關鍵技術與套用，完成單位：銅仁學院 中國振華（集團）新雲電子元器件有限責任公司（國營第四三二六廠）
鉭電解電容是一種以金屬鉭作為介質材料的電解電容器，具有體積小、電容量大、穩定性高等特點，其廣泛套用于軍事通訊、航天、工業控制、影視設備和通訊儀表等領域。分類 鉭電解電容器主要有燒結型固體、箔形卷繞固體、燒結型液體等三種，其中燒結型固體約占生產總量的95%以上，而又以非金屬密封型的樹脂封裝式為...
鉭電解電容器可以非常方便地獲得較大的電容量，在電源濾波、交流旁路等用途上少有競爭對手。具有單嚮導電性，即所謂有“極性”，套用時應按電源的正、負方向接入電流，電容器的陽極（正極）接電源“+”極，陰極（負極）接電源的“-”極；如果接錯不僅電容器發揮不了作用，而且漏電流很大，短時間內芯子就會發熱，...
《雷射燒結氧化鉭基功能陶瓷》是2006年化學工業出版社出版的圖書，作者是季凌飛、蔣毅堅。該書將先進的雷射材料製備技術與提高介電材料的物理性能緊密結合，介紹了作者發明的雷射燒結新型Ta2O5基功能陶瓷技術，具有較強的獨創性及先進性，對從事雷射加工、功能陶瓷研究的技術人員有著非常重要的參考價值。簡介 本書具有較...
超級多層鍍膜技術（Super Multi Coated），Pentax公司於1971年獲得的專利鏡頭鍍膜技術。簡介 超級多層鍍膜技術（Super Multi Coated），Pentax公司於1971年獲得的專利鏡頭鍍膜技術。該技術可將鏡片的透光率提高到99.8%，能夠有效的降低光線的散射，提高鏡頭的抗眩光能力。折射和部分反射 當光線穿過兩個具有不同密度的透明...
300mm要適合多代技術的需求，它面臨IC生產中的新工藝、新材料和新結構的挑戰。對邏輯IC來說，它涉及銅布線、低介電常數（k＜3）和超低介電常數（k）漏延伸區和抬高源/漏結構。對DRAM來說，它涉及儲存電容的新材料，如五氧化二鉭（Ta2o5）、鋇鍶鈦（BST）和鉑鋯鈦（PZT）等，新的電極材料如鉑、氮化鈦等...
薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要套用。簡介 拼音：báomó 英文釋義：[thin film；film]由薄膜產生的干涉。薄膜可以是透明固體、液體或由兩塊玻璃所夾的氣體薄層。入射光經薄膜上表面反射後得第一束光，折射光經薄膜下表面反射，又經上表面...
鉭（Tantalum）是一種金屬元素，原子序數為73，化學符號Ta，元素對應的單質為鋼灰色金屬。鉭主要存在於鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭的硬度適中，富有延展性，可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨脹係數很小。鉭有非常出色的化學性質，具有極高的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，與鹽酸、濃硝酸及王水都不反應。可用來制...
《普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材:薄膜光學與薄膜技術基礎》選材吸收國內外教材的優點,力求做到取材新穎、內容全面、系統性強,並注重理論與實際套用相結合,儘可能多地反映我國在光學薄膜與薄膜材料方面的最新科研成果。普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教...
同時也進一步證實了ALD薄膜生長過程中兩個階段的存在。最後分析該模型存在偏差的原因，為ALD的套用研究提供一個理論基礎。套用 原子層沉積技術由於其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構）原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（...
冷卻到室溫，用水浸泡鉭坩堝以除掉CaCl₂、Ca，稀土金屬融塊保留在底部（含1%—3%Ca）。套用領域 工業用途 鈰的套用領域廣泛，幾乎所有的稀土套用領域中都涉及鈰，如拋光粉、儲氫材料、熱電材料、電極材料、陶瓷電容器、燃料電池原料、汽油催化劑、永磁材料、各種合金等。鈰作為玻璃添加劑，能吸收紫外線、紅外線，...
