變溫霍爾測試系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2018年7月17日啟用。
基本介紹
- 中文名：變溫霍爾測試系統
- 產地：中國
- 學科領域：物理學
- 啟用日期：2018年7月17日
- 所屬類別：物理性能測試儀器 > 光電測量儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
變溫，常溫和液氮溫度(77K)下測量; 阻抗:10-6 to 107 載流子濃度(cm-3):107 - 1021 樣品夾具： 彈簧樣品夾具(免去製作霍爾樣品的麻煩)； 測量材料：所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量) 儀器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm。
主要功能
該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知名度。 儀器輕巧方便，易於攜帶，主要用於量測電子材料之重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等，薄膜或體材料均可，其原理主要依據范德堡法則。 除了用來判斷半導體材料之型態(n或p)以外，它也可套用於LED磊晶層的質量判定，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用於太陽能電池片的製程輔助。 可說是一套功能強大、套用廣泛的系統，再加上平實的價格， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用。 廣泛套用於半導體廠商。
