複雜三維微/納光學陣列元件的電化學刻蝕加工方法

複雜三維微/納光學陣列元件的電化學刻蝕加工方法

《複雜三維微/納光學陣列元件的電化學刻蝕加工方法》是依託廈門大學,由湯儆擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

  • 中文名:複雜三維微/納光學陣列元件的電化學刻蝕加工方法
  • 項目類別:青年科學基金項目
  • 項目負責人:湯儆
  • 依託單位:廈門大學
  • 批准號:20503024
  • 申請代碼:B0205
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2006-01-01 至 2008-12-31
  • 支持經費:28(萬元)
項目摘要
本項目擬利用約束刻蝕劑層技術(CELT)開展石英材料(SiO2 )表面複雜三維微/納光學陣列元件的刻蝕加工研究,一方面探索石英刻蝕過程中的基本問題,如捕捉劑的篩選、刻蝕劑與石英反應機制、刻蝕劑層的空間分布等化學問題;另一方面發揮CELT技術適合絕緣材料複雜三維結構刻蝕的優勢,力圖以微/納光學陣列元件(如微透鏡陣列、微稜鏡陣列)的製作為切入點,將其引向新的更為重要的套用領域。本項目可以進一步推進CELT技術的相關理論研究,有助於將該技術推廣到現有電化學微/納加工方法難以加工的新材料,從而滿足微/納系統發展中需要在極小尺度上加工日益多樣的新材料的要求。

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