《製造用於PSTTM套用的晶體磁性膜的方法》是英特爾公司於2014年9月26日申請的專利，該專利公布號為CN106605267B，專利公布日為2021年6月8日，發明人是K·P·奧布賴恩、B·S·多伊爾、K·奧烏茲、R·S·周、S·蘇里。
基本介紹
- 中文名：製造用於PSTTM套用的晶體磁性膜的方法
- 授權公告號：CN106605267B
- 授權公告日：2021年6月8日
- 申請號：2014800814900
- 申請日：2014.09.26
- 專利權人：英特爾公司
- 地址：美國加利福尼亞
- 發明人：K·P·奧布賴恩; B·S·多伊爾; K·奧烏茲; R·S·周; S·蘇里
- Int. Cl.：G11C11/16(2006.01)I
- 專利代理機構：永新專利商標代理有限公司72002
- 代理人：陳松濤; 王英
- PCT進入國家階段日：2017.02.24
- PCT申請數據：PCT/US2014/057879 2014.09.26
- PCT公布數據：WO2016/048379 EN 2016.03.31
專利摘要
一種方法，包括在包括與電介質材料的晶格類似的晶格的完全晶體的犧牲膜或襯底上形成包括位於固定磁性層與自由磁性層之間的電介質層的器件疊置體；以及將器件疊置體從犧牲膜轉移到器件襯底。一種裝置，包括：器件疊置體，該器件疊置體包括位於器件襯底上的固定磁性層與自由磁性層之間的電介質層，其中，固定磁性層和自由磁性層各自的晶格與犧牲膜或襯底的晶格一致，其中所述固定磁性層和所述自由磁性層在轉移到所述器件襯底之前形成在所述犧牲膜或襯底上。
對比檔案
CN 103109324 A,2013.05.15; CN 102292815 A,2011.12.21; US 2006171199 A1,2006.08.03; US 2013249028 A1,2013.09.26
