人物經歷
畢業於
紐約市立大學化學系獲碩士和博士學位,專業方向是納米技術與材料科學。研究方向是運用
分子束外延技術製備寬禁帶II-VI族半導體材料和超晶格結構及其在中紅外光探測和量子級聯雷射器等方向的套用。博士畢業後在
加州大學聖芭芭拉分校材料系和電子與計算工程系從事分子束外延技術的改進和開發;製備,調控和研發包括III-V族半導體外延薄膜及超晶格結構,稀土金屬化合物及
納米結構,和稀土金屬/III-V族半導體
納米複合材料等多種材料體系及它們在眾多領域的套用。
受邀在美國、香港等地多所大學做特邀報告,擔任國際會議主持,為美國一些科技組織做項目基金評審人,並為多個國際學術雜誌做審稿人。2014年入選國家第五批。現任職於南京大學材料與工程系教授。
研究方向
分子束外延(MBE),人工微納結構
半導體量子阱,超晶格和異質結材料及其在光電子器件和能源方向的套用
學術成果
在包括Science,Nature Nanotechnology,Nature Communications,Advanced Materials,Nano Letters, Physical Review Letters, Journal of the American Chemical Society 等國際學術雜誌上發表論文80餘篇。
代表論文
1.K. Ding, H. Lu, Y. Zhang, M. Snedaker, D. Liu, J. A. Maciá-Agulló, and G. Stucky, "Microwave synthesis of micro/nanostructured metal chalcogenides from elemental precursors in phosphonium ionic liquids", J. Am. Chem. Soc. (2014).
2.H. Lu*, D. G. Ouellette, S. Preu, J. D. Watts, B. Zaks, P. G. Burke, M. S. Sherwin, and A. C. Gossard, “Self-assembled ErSb nanostructures with optical applications in Infrared and Terahertz”, Nano Lett. 14, 1107 (2014). doi:10.1021/nl402436g
3.J. I. Colless, X. G. Croot, T. M. Stace, A. C. Doherty, S. D. Barrett, H. Lu, A. C. Gossard, and D. J. Reilly, “Raman phonon emission in a driven double quantum dot”, Nat. Commun. 5, 3716 (2014). doi:10.1038/ncomms4716
4.J. Medford, J. Beil, J. M. Taylor, S. D. Bartlett, A. C. Doherty, E. I. Rashba, D. P. DiVincenzo, H. Lu, A. C. Gossard, C. M. Marcus, “Self-consistent measurement and state tomography of an exchange-only spin qubit”, Nat. Nanotechnol. 8, 654 (2013).
5.J. K. Kawasaki, B. D. Schultz, H. Lu, A. C. Gossard, and C. J. Palmstrom, “Surface-mediated tunable self-assembly of single crystal semimetallic ErSb/GaSb nanocomposites structures”, Nano Lett. 13, 2895 (2013).
6.H. Lu*, P. Burke, A. C. Gossard, G. Zeng, A. T. Ramu, J-H. Bahk, and J. E. Bowers, “Semimetal/semiconductor nanocomposites for thermoelectrics”, Adv. Mater. 23, 2377 (2011). doi:10.1002/adma.201100449
7.J. R. Petta, H. Lu, A. C. Gossard, “A coherent beam splitter for electronic spin states”, Science 327, 669 (2010).