IE r ≈ q A xE ( ni / 2τ) exp(qVBE/ 2kT)
這就是說，複合電流與複合中心濃度（關係到τ）、勢壘厚度xE、本徵載流子濃度ni和發射結電壓VBE等有關。複合電流將會導致電流放大係數不再是常數, 而是與發射結上的電壓VBE有關。在低的VBE時, IE r與正向注入的有用電流可相比擬, 則使注射效率降低而導致放大係數明顯下降；隨著電壓VBE的增大, IE r的影響將變得可以忽略 ( 因為 IE r 按照exp(qVBE / 2kT) 緩慢地增大, 而IC則按照exp(qVBE/ kT) 較快地增大), 從而使BJT在小電流時的電流放大係數隨著電流的增大而升高。至於大電流時放大係數的下降，則與大注入時的效應（如Kirk效應或Webster效應）有關。
由於IE r對電流放大係數的影響與本徵載流子濃度ni有關，則禁頻寬度較大（ni較小）者影響也較大，從而複合電流在Si電晶體中的影響要大於Ge電晶體,而在GaAs-BJT中的要大於Si-BJT。
