《薄膜高頻磁阻抗效應感測技術研究》是依託華中科技大學，由陳善寶擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：薄膜高頻磁阻抗效應感測技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳善寶
- 依託單位：華中科技大學
- 負責人職稱：副教授
- 批准號：69574012
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 申請代碼：F0306
- 支持經費：9（萬元）
中文摘要
通過分析與試驗研究，確定用Ni81Fe19材料作為高頻磁阻抗效套用軟磁薄膜材料。選用Ni-Fe合金靶進行磁控射頻濺射，同時研究了Ar氣壓、偏壓、基片溫度、濺射功率對磁性能的影響，製備出性能好的Ni-Fe軟磁薄膜。為了使軟磁薄膜具有一定的單軸各向異性，對定向磁場的方法、磁路結構進行了精心設計。除了設計磁阻抗的高頻測量系統外，還對磁性薄膜圖形進行了設計研究平面退磁場的影響，磁膜圖形的製備採用了離子刻蝕（乾法）和FeCl3溶液法，二者都能得到良好的效果，軟磁薄膜的磁導率在交變磁場作用時呈複數磁導率，如果高頻磁場頻率低到數百MHz，雖有疇壁存在，但若材料有單軸各向異性，仍可能產生磁共振。在諧振附近，其電感和品質因數的變化，在常溫下便能檢測很小的被測磁場的變化，而且沒有噪聲。
