《若干電子結構奇異及非費米液體行為理論研究》是章立源為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：若干電子結構奇異及非費米液體行為理論研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：章立源
- 依託單位：北京大學
- 批准號：19674008
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1997-01-01至1999-12-31
- 支持經費：7 (萬元)
項目摘要
1988年章立源對高溫超導體（HTS）正常態提出了贗隙金屬模型，1996年ARPES實驗測到HTS中存在贗隙。本項目是發展贗隙金屬態繪景。1997年以格林函式法論證其贗隙起源於雙成分，其一為巡遊載流子子系統，另一為彼此間有微弱吸引的近局域載流子對子系統，於較高溫區後者分解，此體系趨於傳統的金屬態，而於較低溫雙成分體系與傳統的金屬態截然不同，雙成分贗隙金屬態的量子電子液體是介於費米與非費米液體間的近費來液體退局域態與近局域化態共存，後者在有限溫度下以一定幾率形成近局域載流子對。用G-L及de Genes-Bogolinbov唯象理論預言在HTS磁通結構中吸引雜質勢將導致磁通芯處零偏壓微分電導，而排斥勢使芯處帶電與體電荷相反，完成Ⅱ-Ⅵ/Si新型半導體超晶格能帶分析。
