在傳統攝像頭感光元件中，感光二極體位於電路電晶體後方，進光量會因遮擋受到影響。所謂背照式攝像頭就是將它掉轉方向，讓光線首先進入感光二極體，從而增大感光量，顯著提高低光照條件下的拍攝效果
基本介紹
- 中文名：背照式攝像頭
- 位置：電路電晶體後方
- 原理：增大感光量
- 目的：讓光線首先進入感光二極體
優勢
傳統的CMOS感測器每個像素點都要搭配一個對應的A/D轉換器以及對應的放大電路，因此，這部分電路會占用更多的像素麵積，直接導致光電二極體實際感光的面積變小，感光能力變弱。CCD的單個像素點不需要A/D轉換器和放大電路，光電二極體能獲得更大的實際感光面積，開口率更大，因此在小尺寸影像感測器領域，目前CCD仍占據一定優勢，而在大尺寸影像感測器領域，由於單個像素點的面積大，A/D轉換器和放大電路占用的面積只是整個像素的很小一部分，影響不大，因此CMOS感測器也得到了廣泛的套用。
而Exmor R CMOS將光電二極體“放置”在了影像感測器晶片的最上層，把A/D轉換器及放大電路挪到了影像感測器晶片的“背面”，而不是像傳統CMOS感測器一樣，A/D轉換器和放大電路位於光電二極體的上層，“擋住了”一部分光線。這樣一來，通過微透鏡和色彩濾鏡進來的光線就可以最大限度地被光電二極體利用，開口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像感測器，也能獲得優良的高感光度能力。
相比較之下，傳統的表面照射型CMOS感測器的光電二極體位於整個晶片的最下層，而A/D轉換器和放大電路位於光電二極體上層，因此光電二極體離透鏡的距離更遠，光線更容易損失。同時，這些線路連線層還會阻塞從色彩濾鏡到達光電二極體的光路，因此直接導致實際能夠感光更少。而Exmor R背照式CMOS感測器解決了這樣的問題。
如下圖，左邊為FSI感測器、右邊為BSI背照式感測器。
背照式攝像頭