《肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變影響研究》是依託山東大學，由林兆軍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變影響研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：林兆軍
- 依託單位：山東大學
- 批准號：10774090
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：30（萬元）
中文摘要
近些年來，AlGaN/GaN異質結場效應電晶體（AlGaN/GaN HFET）一直作為半導體電子器件研究領域的熱點而引起人們的廣泛關注和極大興趣。AlGaN/GaN異質結構的肖特基接觸是AlGaN/GaN HFET的重要組成部分，肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變的影響至今未見有報導，而肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變的影響將改變AlGaN/GaN異質結構二維電子氣密度等相關參數，由此對AlGaN/GaN HFET器件特性產生重要影響。本項目擬在通過AlGaN勢壘層面極化電荷密度的分析計算，獲取肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變影響的信息，研究肖特基金屬電子與AlGaN勢壘層界面相互作用的機制，建立肖特基金屬對AlGaN/GaN異質結構AlGaN勢壘層應變影響的作用模型，以此推動GaN基電子器件研究的深入和發展。
