華為手機由於採用了09年威盛生產的55納米CDMA基帶晶片，導致手機出現嚴重耗電現象，被網友稱作“耗電門”事件。
基本介紹
- 中文名：耗電門
- 廠家：華為手機
媒體大量曝光了華為榮耀7存在眼中的非正常耗電現象，在媒體的報導中，華為手機存在著十分嚴重的問題：耗電嚴重，幾乎不可能帶在身邊正常使用。華為榮耀7陷入了一次“耗電門”的風波。
事件截圖
有業內人士從技術角度分析了售價高達2499元的榮耀7，為何陷入了耗電門。結論是華為的海思晶片，使用的是2009年的老舊基帶，導致安裝華為海思晶片的榮耀7在硬體上有了缺陷，這種缺陷是無法用軟體升級來彌補的。
榮耀7全網通版本支持目前中國三大運營商的全部制式和頻段，但是我們知道它的麒麟930/935 SOC內置基帶晶片(負責電話簡訊和數據上網)，只能支持聯通移動的2/3/4G網路，電信2/3G網路必須依靠一個外掛的VIA基帶(圖1中空焊處，該拆機示意圖是移動低配機型，不支持電信，因此沒有安裝VIA基帶)。這也就是功耗巨大的根本原因!
圖1
如圖2所示，也就是說如果是聯通移動卡，全網通的榮耀7隻需要使用自帶的海思基帶即可;但是如果用戶插了電信卡，因為目前VOLTE技術尚未商用，純4G環境是沒辦法打電話發簡訊的，所以榮耀7必須同時開啟VIA和海思基帶，以保證同時待機CDMA模式(電話簡訊)和LTE模式(4G上網)。甚至從目前榮耀7的耗電情況來分析，VIA的這顆CBP8.2即使不工作也是在耗電的。
圖2
55nm是什麼概念?要知道現在的主流半導體工藝已經進化到14NM，正在衝擊10nm;對於半年更新一次的半導體行業來說那是2009年左右的古董技術，也就是說華為用了一顆6年之前的老古董。
事件截圖
只有兩種可能：
1.這批930 SOC晶片的基帶沒做好，漏電率異常的高。
2.北研所確實沒有什麼研發經驗，一直沒能處理好信號這一塊的。(因為海思本身技術實力不如高通，華為終端在開發海思機型的時候，需要投入數倍的工作量才能擺平那些高通、MTK平台根本沒有的BUG)
